Materials Informatics & Design for
Advanced Sustainability
중앙대학교 MIDAS 연구실은 데이터 기반 접근법(Machine Learning)과 제일원리 계산(DFT)을 포함하는 원자 수준 모델링을 융합하여, 차세대 에너지 저장 및 변환 시스템을 혁신할 새로운 첨단 소재를 연구하고 설계합니다.
Research Interests
Solid-state Batteries
기존 액체 전해질을 고체 전해질로 대체하여 화재 위험성을 완벽히 제거하고 에너지 밀도를 극대화하는 전고체 배터리(All-Solid-State Batteries) 시스템을 탐색합니다. 고체 전해질과 금속 음극 계면에서의 이온 이동 장벽 및 전기화학적 안정성을 제일원리 계산으로 정밀히 분석합니다.
Machine Learning
기존의 시행착오식 소재 개발 방식을 혁신하기 위해 머신러닝(Machine Learning) 방법론을 도입합니다. 능동 학습(Active Learning), 생성 모델(Generative Learning, 예: MatterGen) 및 대형 언어 모델(LLM)을 활용하여 신소재 디자인을 가속화하며, 머신러닝 포스필드(MLIP, Machine Learning Interatomic Potentials)를 구축하여 DFT 수준의 정확도로 대규모 나노구조 및 계면의 동역학적 특성을 고속 모사합니다.
Semiconductor Process & Discovery
반도체 디바이스의 집적도 한계를 극복하고 차세대 신소재를 발굴하기 위해 반도체 관련 연구를 수행합니다. 원자층 증착법(ALD, Atomic Layer Deposition) 공정 중 일어나는 표면 화학 반응을 컴퓨터 시뮬레이션으로 규명하여 정밀 증착 메커니즘을 이해하고, 고성능 반도체 소자를 위한 차세대 신소재 및 최적 공정 조건을 예측하고 제안합니다.
Solid-state Batteries (전고체 배터리 설계)
차세대 친환경에너지 저장을 위한 핵심 기술인 전고체 배터리 시스템의 원자 수준 물리화학적 특성을 규명하고, 최적의 고체 전해질 및 전극 소재를 설계하는 연구를 수행합니다.
Key Research Topics
- 고체 전해질-금속 음극 계면 안정성 규명: 고체 전해질과 리튬 금속 음극 접합 계면에서의 열역학적 화학적 부반응 및 이온 확산 경로를 분석합니다.
- 리튬 덴드라이트(Dendrite) 성장 억제: 충방전 과정 중 고체 전해질 결정립 경계(Grain Boundary)를 따라 성장하는 리튬 금속의 덴드라이트 메커니즘을 시각화하고 억제 방안을 전산 제시합니다.
- 신규 고체 전해질 소재 발굴: 황화물(Sulfide)계 및 산화물(Oxide)계 기반의 고이온전도성 및 우수한 기계적/화학적 안정성을 동시에 갖춘 고체 전해질 신소재를 스크리닝합니다.
Methodologies
제일원리 계산(DFT, Density Functional Theory)을 기반으로 고체 재료의 전자 구조, 격자 열역학적 특성, 밴드 갭 및 에너지 장벽을 고정밀 계산합니다. 또한 원자 수준 분자동역학 시뮬레이션(AIMD)을 활용하여 온도의 함수에 따른 이온 이동 경로 및 확산 계수(Diffusion Coefficient)를 산출합니다.
Core Expertise
Machine Learning (머신러닝 기반 신소재 설계)
인공지능 기반 방법론을 신소재 전산 설계 워크플로우에 통합하여 기존의 시행착오식 개발 방식을 혁신하고 소재 탐색 시간을 획기적으로 가속화합니다.
Key Research Topics
- 결정 구조 생성 모델 (Generative Modeling): MatterGen 등 최신 AI 생성 모델 및 대형 언어 모델(LLM)을 응용하여 타겟 특성을 만족하는 신소재 결정 격자 구조를 역설계(Inverse Design)합니다.
- 능동 학습 (Active Learning): 고정밀 DFT 계산과 기계학습 예측을 결합한 폐루프(Closed-loop) 능동 학습 알고리즘을 구축하여 미지의 광범위한 화학적 공간에서 고성능 전극 및 촉매 후보 물질을 효율적으로 스크리닝합니다.
- 기계학습 원자간 포스필드 (MLIP): SevenNet 등 최신 기계학습 포스필드 방법론을 활용하여 DFT 수준의 높은 정확도를 유지하면서도 기존 계산 과학의 한계를 넘는 수만 개 이상의 대형 원자 격자계에 대해 나노초 이상의 대규모 동역학 특성을 고속 시뮬레이션합니다.
Methodologies
Materials Project 등 오픈소스 대용량 소재 데이터베이스를 분석 및 학습 데이터로 가공하고, PyTorch 기반 기계학습 모델 개발, 원자 단위 전하 및 포스 맵핑 워크플로우를 설계하여 가상 공간 상의 자동 스크리닝 플랫폼을 구현합니다.
Core Expertise
Semiconductor Process & Discovery (원자 수준 공정 및 채널 소재 설계)
초미세 반도체 소자의 집적화 한계를 극복하고 에너지 효율을 극대화하기 위해, 원자층 증착법(ALD) 공정 메커니즘을 원자 수준에서 시뮬레이션하고 신소재 채널 구조를 예측합니다.
Key Research Topics
- ALD(원자층 증착법) 표면 화학 반응 분석: 금속 유기 전구체(Precursor)와 반응 가스가 실리콘 또는 금속 기판 표면에서 흡착, 화학 분해, 배위 결합을 형성하는 동역학적 경로와 에너지를 산출합니다.
- 차세대 2차원 반도체 채널 규명: 극미세 소자를 위한 초박막 및 2D 신소재 채널 구조의 전자 수송 능력(Carrier Mobility) 및 결함(Defect)에 따른 누설 전류 가능성을 시뮬레이션합니다.
- 공정 최적화 및 메커니즘 전산 예측: 증착 기판 표면의 표면 처리(Self-Assembled Monolayer 등)를 통한 Area-Selective ALD(선택적 ALD) 공정의 안정성 및 메커니즘을 예측합니다.
Methodologies
표면 및 기판 계면에 대한 슬랩(Slab) 모델을 구성하여 표면 DFT 계산을 수행하며, 전이 상태(Transition State) 탐색 기법인 NEB(Nudged Elastic Band) 알고리즘을 사용해 반응 활성화 에너지(Activation Barrier)를 도출하고 최적의 가열 및 증착 조건을 제안합니다.
Core Expertise
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